商业秘密

英特尔公布40年来最重要的商业秘密 新材料构建45纳米处理器

英特尔昨日在中国发布基于45纳米制程的处理器产品,同时也公开了一个“40年来最重要”的商业秘密.
简单而言,45纳米制程处理器的发布,对英特尔最具里程碑意义的事情,是它找到了一种新的材料制造处理器,解决旧的多晶硅材料无法解决的漏电问题,使得处 理器的晶体管密度更高、功耗更低、性能更强大.正是因为英特尔找到了这种新的材料,摩尔定律的创始人戈登·摩尔称之为“40年来晶体管设计领域的重大改 进”.


公布“高K介质”的秘密

然而,在今年初英特尔首次正式宣布使用这种“高K介质”生产45纳米处理器的时候,无论是英特尔美国总部还是中国技术人员,都一致封口不透露任何关于这种“高K介质”到底是什么物质,并称这是公司的高度商业机密.但是,在昨日45纳米处理器的中国发布会上,“高K介质”成了英特尔表现自己技术领先的皇牌,同时也正式向外界透露,这种“高K介质”是一种基于金属铪的氧化物.

对于上述这种截然不同的态度转变,英特尔南区总经理方粤生表示,之所以在这个时候公开“高K介质”材料,因为这是半导体行业40年来最大的突破,很可能改变半导体行业的发展步伐.“技术对于企业而言在未来的半导体行业至关重要”.尽管方粤生称不清楚过去几个月来,英特尔在“高K介质”等一系列新技术的保护上作了些什么具体的措施,但他表示,英特尔一直以来在技术专利保护方面都是做足功夫的.

事实上,也有英特尔内部人士透露,如果竞争对手刻意获取英特尔“高K介质”的秘密,完全可以买一个英特尔的产品拿回去做分析,“用原子放大镜就能很快地分析出来”.英特尔使用“高K介质”的消息,最早可以追溯到2003年,那个时候英特尔就已经选定了这种新的材质,并计划好45纳米制造工艺的时间表.除了英特尔以外,德州仪器也在今年宣布计划在其45纳米制程中使用名为“氮氧化铪硅(HfSiON)”的“高K介质”.

但即便英特尔公布了“高K介质”材料的秘密,但关于金属栅极的两种金属材质,英特尔依旧把他视作商业秘密.

中国大连工厂不排除使用45纳米制造工艺?

根据英特尔45纳米处理器的量产计划,目前位于美国的两座制造工厂——俄勒冈州D1D与亚利桑那州Fab32都已经开始生产45纳米制程的处理器,明年位于美国新墨西哥州的Fab11,以及位于以色列的Fab28两家工厂也会切换至45纳米制程.但是对于2010年开始投入使用的中国大连厂到时候是否也使用45纳米制程,方粤生表示“目前还没有规划”.

根据较早前英特尔与大连政府签订的协议,大连厂目前的规划是使用90纳米制程的,最高可以达到65纳米制程.但按照英特尔的制程升级步伐,到2009年就会推出使用32纳米制程的处理器,到2011年更是达到22纳米制程.有业内人士预测,只要能过美国政府在技术输出上设置的关卡,大连厂有可能使用45纳米制程,况且到了2010年,45纳米制程早已经不是最先进的技术了.

对此,方粤生称,英特尔是半导体行业内为数不多集设计与制造能力于一身的厂商,英特尔之所以坚持这样的路线,是因为设计与制造密切相关,设计出很复杂、效率高的架构,但却没有能力制造出来也是白搭.英特尔设计与制造团队紧密结合在一起,能够保证“设计出来的就能够造出来,英特尔不会把制造外包”.换而言之,英特尔会继续加大自由工厂的建设,其中自然也包括中国大连工厂.“大连厂是否需要切换制程,需要到时候看实际的市场需求”,方粤生表示.