整流二极管的损耗计算

整流二极管是一种常见的半导体器件，它的功能是将交流电变为直流电能，由于反向漏电流小，高温性能良好，常被用于电路设计。但是整流二极管也是电源损耗降低研究方面的一个难题，从小功率到大功率电源，怎样才能将整流二极管的损耗降到最低?本文ic网整理了如下内容，希望对大家有所帮助。

  

首先我们来讨论二极管的RC sunbber的计算设计。RC吸收的本质是转移损耗，由于电容两端的电压不能突变，故可以抑制电压尖峰，而电阻纯粹是一个阻尼振荡的作用，业界一直不推荐，大都是采用测试法，因为计算出来的跟实际的还是有差异的。

调试方法如下，先测量振荡波形，读出振荡频率，然后加C，使振荡频率减半，再计算电路的寄生电容、电感，最后根据振荡电路的特征参数来确定串联电阻的大小，或直接接电阻试验，直到振荡基本消失为准。

对于RC是否是纯粹的转移效率，已经经过实验证明，RC参数不合理能降低效率，而合理的RC反而能提升效率。当RC不合理时，很大几率是C或者R的选取出现了问题。C越大，会带来越大的损耗，而且当R阻尼不够时，反而会引起严重震荡。但是C太小，吸收尖峰的能力却不够。所以我们只能采用测量加计算，再调试的办法。是个折中的选择。

比较通用简单的设计办法是：在没有加吸收之前，测试震荡频率，假如频率是f，那么开始并电容，并了电容震荡频率自然下降，那么并多少电容呢?并了电容C之后让震荡频率变为原来的一半，就是0.5f。

这样就可以根据以上参数算出引起震荡的另外一个参数，电感L。最后取R=(L/C)开根号。