二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯就是一个PN结，在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，就构成了晶体二极管，如下图所示。P区的引出的电极称为正极或阳极，N区的引出的电极称为负极或阴极。
二极管的伏安特性
半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。
若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如下图所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。
下面对二极管伏安特性曲线加以说明：
1.正向特性
二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A′)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图中OA(OA′)段。
当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V,锗管约为0.2~0.3V,如图中AB(A′B′)段。
二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。
2.反向特性
二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图中OC（OC′）段。
3.反向击穿特性
二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图1.11中CD(C′D′)段。
4.温度对特性的影响
由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。
二极管的分类
二极管按其封装形式可分为塑料二极管、玻璃二极管、金属二极管、片状二极管、无引线圆柱形二极管。
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
1、点接触型二极管
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
7、合金扩散型二极管
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8、外延型二极管
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
1、检波用二极管
检波主要是将高频信号中的低频信号检出，这一作用经常用于收音机中。
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管
由于二极管具有单向导电性，因此可将方向交替变换的交流电转换为单一方向的脉冲直流电，完成整流的功能。
就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
3、限幅用二极管
由于在二极管两端加正向电压使其导通后，其正向压降基本保持不变，因此其在电路中可以作为限幅元件，将信号的幅度限制在一定的范围内。
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
5、混频用二极管
使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
6、放大用二极管
用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管
由于二极管具有单向导电性，在正向电压作用下电阻很小，相当于通路，类似于开关打开状态;而在反向电压作用下电阻很大，相当于断路，类似于开关闭合状态。二极管具有的这种开关特性，使得其可以组成各种逻辑电路。
有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管
可以通过对其施加反向电压来改变其PN结的静电容量，从而达到变容的功能，经常于电视机高频头的频道转换和调谐电路。
用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管
稳压二极管是一种工作于反向击穿状态的面结型硅二极管，在稳压电路中串入限流电阻，限制稳压二极管击穿后电流值，使得其击穿状态可以一直保持下去。
是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管（PIN Diode）
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是'本征'意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和'本征'层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，'本征'区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入'本征'区，而使'本征'区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12、雪崩二极管 (Avalanche Diode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管 （Tunnel Diode）
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标'P'代表'峰'；而下标'V'代表'谷'。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成'自助电场'。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个'存贮时间'后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的'自助电场'缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）
它是具有肖特基特性的'金属半导体结'的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
16、阻尼二极管
具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。
17、瞬变电压抑制二极管
TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。
18、双基极二极管（单结晶体管）
两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
19、发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。经常应用于VCD、DVD、计算器等显示器上，例如电脑硬盘的指示灯、充电器的指示灯等都是发光二极管在生活中的应用。
20.、硅功率开关二极管
硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开关或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面。
21、旋转二极管
主要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用。
点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下：
1、一般用点接触型二极管
这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。
2、高反向耐压点接触型二极管
是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。
3、高反向电阻点接触型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。
4、高传导点接触型二极管
它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。
二极管按工作频率可分为高频二极管和低频二极管。
二极管的生产厂家：
1、意法半导体(ST)
总部：意大利主营：模拟芯片和电源转换芯片，机顶盒芯片，分立器件、手机相机模块和车用集成电路等等。
官网：http://www.st.com/
2、恩智浦(NXP)
总部：荷兰主营：半导体、系统解决方案和软件、数字信号处理IC、无线识别、移动多媒体解决方案。
官网：http://www.nxp.com/
3、先科电子有限公司(Semtech)
主营：是高质量模拟和混合信号半导体产品的领先供应商。公司致力于向客户提供在电源管理、保护、高级通信、人机界面、测试和检测以及无线和传感产品方面的专有解决方案和突破性技术。公司的集成电路 (IC) 在通信、计算机和计算机界面、自动检测设备、工业和其它商业应用中得到广泛采用。官网：http://www.semtechinternational-ag.cn/
4、安森美(ON)(收购了Fairchild)
总部：美国主营：电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件。
官网：http://www.onsemi.cn/
5、微芯科技(Microchip)
总部：美国主营：嵌入控制半导体、PIC8位MCU、串行EEPROM、微控制器外围设备、RFID智能卡、KEELOQ保安产品等。
官网：http://www.microchip.com/
6、亚德诺半导体(Analog Devices)
总部：美国主营：高性能模拟集成电路IC制造、ADI DSP处理器开发工具、仿真器、开发部、扩展接口板等。
官网：http://www.analog.com/cn/index.html
7、德州仪器(TI)
总部：美国主营：半导体开发设计制造、模拟电路部件制造、创新性数字信号处理研究制造、传感控制、教育产品和数字光源等。
官网：http://www.ti.com.cn/
8、IPS（InPower Semiconductor）
主营：专业功率半导体产品设计公司, 其产品主要应用于功率管理领域。官网：http://www.inpowersemi.com/
9、英飞凌(Infineon)(收购了IR)
总部：德国主营：汽车系统芯片、ESD/EMI、单片机、射频和无线控制、传感器IC、智能卡IC、晶体管二极管等。
官网：http://www.infineon.com/
10、东芝(Toshiba)
总部：日本主营：日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。
官网：http://www.toshiba.com.cn/
11、瑞萨电子(Renesas)
总部：日本主营：单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发设计制造。
官网：http://cn.renesas.com/
12、三星(Samsung)
总部：韩国主营：消费类电子、金融保险、机械重工、化学等。
官网：http://www.samsung.com
13、友顺科技集团公司(UTC)
总部：台湾主营：LCD驱动、电源管理、逻辑、运放、功放、MOS、TVS管、稳压管等。
官网：http://www.unisonic.com.tw/
14、茂达电子（ANPEC）
总部：台湾主营：电源转换及电源管理IC(Power Conversion and Power Management IC)、放大器及驱动IC(Amplifier and Driver)及离散式功率元件(Discrete Power Devices - MOSFET、IGBT)三大类。
官网：http://www.anpec.com.tw/
15、强茂电子集团（PANJIT）
总部：台湾主营：主要从事整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式元件产品的生产。
官网：http://www.panjit.com.tw/
16、君耀电子
总部：台湾主营：MOV压敏电阻、TVS瞬态电压抑制二极管、GDT陶瓷气体放电管、SPG玻璃气体放电管、PTC自恢复保险丝、ESD静电保护元件和TSS半导体放电管。
官网：http://cn.brightking.com/
17、安茂微电子（AME）
总部：台湾主营：类比混合讯号之电源管理IC芯片设计、测试及销售。
官网：http://www.ame.com.tw/
18、凯晶
总部：台湾主营：致力于MOSFET的设计研发与销售。
官网：http://www.aonetek.com/
19、荣创能源科技有限公司(AOT)
总部：台湾主营：专注发展 LED 封装技术，主要产品为表面黏着型发光二极体 SMD LED 。
官网：http://www.aot.com.tw/
20、亿光（Everlight Electronics）
总部：台湾主营：LED认证、研发、制造、质量管理及营销。
官网：http://www.everlight.com/
21、苏州固鍀
总部：苏州主营：二极管龙头企业。
官网：http://www.goodark.com
22、江苏长电科技股份有限公司
总部：江苏主营：二极管，肖特基整流管，晶体管，达林顿管，数字晶体管，稳压电路，晶闸管，MOSFET，节能灯充电器开关管，复合管。
官网：http://www.cj-elec.com/
23、乐山无线电股份有限公司（LRC）
总部：四川主营：以半导体分立器件为主产品的综合性电子企业。
官网：http://www.lrc.cn/
24、广东风华高新科技股份有限公司
总部：广东主营：电阻，电容，电感，半导体器件。
官网：http://www.china-fenghua.com
25、如皋市大昌电子有限公司
总部：江苏主营：公司主营产品为整流、快恢复、高效率、肖特基、高压、桥堆、开关、稳压、TVS等系列二极管半导体器件，年生产能力16亿支，产品广泛应用于LCD液晶电视、CRT彩电、显示器、音响、节能灯、微波炉、打印机、机顶盒、小家电等领域，是韩国三星、LG、东芝、松下、飞利浦、康佳集团、创维电器、海信电器、广东长虹等知名厂商的主要供应商之一。
官网：http://www.dachang.com.cn/
26、南通皋鑫电子股份有限公司
总部：江苏主营：专业生产半导体分立器件——塑封高压二极管(俗称“硅粒子”、“硅堆”)。产品主要用于微波炉、激光打印/复印机、空气洁净设备、静电喷涂设备等多种电子电器装置中作各种频率的高压信号的交直流变换（整流）。
官网：http://www.ntgaoxin.com/
27、南京微盟电子有限公司（Microne）
总部：南京主营：LDO，DC/DC、LED DRIVER、AC/DC、锂电管理、电压检测、CHARGE PUMP MOSFET系列等。
官网：http://www.microne.com.cn/
28、深圳市熙隆电子有限公司
总部：深圳主营：专业生产、研发和销售各种规格型号的桥堆和二极管。
官网：http://www.xilongdz.net/
29、上海美高森美半导体有限公司（Microsemi）
总部：上海主营：大功率玻璃钝化整流二极管芯片（GPP）、整流桥（BRIDGE）、高压硅堆、模块及其它半导体器件和芯片。
官网：http://www.smsemi.com/
30、武汉武整整流器有限公司
总部：武汉官网：http://www.techele.com/
31、深圳市熙铭光电科技限公司(CITYBRIGHT)
总部：深圳主营：专业从事生产LED SMD发光二极管、红外接收头。
官网：http://www.citybright.net/
32、浙江柳晶整流器有限公司
总部：浙江主营：专业致力于电力半导体器件生产及研发的企业，是国内专业的整流器生产型企业。
官网：http://www.cnthyristor.cn/
33、深圳市光贝电子有限公司(lightbei)
总部：深圳主营：专业LED( 发光二极管 )制造商。
官网：http://www.lightbei.cn/
34、广州市巨宏光电有限公司(LEDGUHON)
总部：广州主营：主要生产(High power LED. LED LAMP） 大功率LED发光二极管。
官网：http://www.ledguhon.com/
35、深圳市德尔诚科技有限公司
总部：深圳主营：专业从事二极管、整流桥堆等半导体器件研发、生产及销售。
官网：http://www.deckj.cn/
36、宜兴市创业电子有限公司
总部：江苏主营：发光二极管。
官网：http://www.cydzc.com/
37、深圳辰达行电子有限公司
总部：深圳主营：一家专业从事半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的制造商。
官网：http://szchenda.com/
38、如皋市易达电子有限责任公司
总部：江苏主营：专业生产整流，快恢复，高效率，肖特基以及各类贴片二极管、贴片桥堆等系列二极管半导体器件，年生产能力30亿支，产品广泛应用于节能灯、LCD、LED，彩电，显示器，各类转换器以及小家电等领域。
官网：http://www.eada.com.cn/
39、康比电子
总部：上海主营：半导体产业产品的企业，下属有12家分公司。产品主要包括整流二极管、LED产品、半导体材料及设备。
官网：http://www.hornby.com.cn/
40、常州市国润电子有限公司
总部：江苏
主营：专业从事各类快恢复二极管、肖特基二极管的生产。并可为客户OEM代工。
官网：http://www.czgrdz.com/
41、佛山海电电子科技有限公司
总部：佛山主营：专业从事整流桥(桥式整流器、桥堆)、贴片二极管、直插二极管等半导体分立器件研发、生产、销售和技术支持的桥堆、二极管生产厂家。
官网：http://www.hai-dian.com/
42、深圳市陈氏光电科技有限公司
总部：深圳主营：主要生产高档紫光、兰光、绿光、纯白光、七彩灯等发光二极管产品，主要应用交通灯、灯饰、照明、玩具等产品中。
官网：http://www.cs-led.com/
43、江苏佑风微电子有限公司
总部：江苏主营：专业生产各种类型二极管的企业。
官网：http://www.yfsemi.com/
44、东莞市蓝晋光电有限公司
总部：东莞
主营：专注于中高端LED市场，是专业的LED发光二极管、插件LED、LED背光源、贴片LED生产厂家。
官网：http://www.ragled.com/
45、深圳市强元芯电子有限公司
总部：深圳主营：专注于整流桥及肖特基二极管的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。
官网：http://www.asemi.cn/
46、镇江市宏韵电子有限公司
总部：江苏丹阳市
主营：专业制造各种二极管的企业。
47、深圳市方舟尚睿科技有限公司（FZSR）
总部：深圳
主营：生产(半导体)厂商，专业生产销售。整流系列:肖特基、快恢复、整流桥、二极管、三极管等。
48、德立科技有限公司
总部：深圳
主营：主要从事二三极管、桥堆等电子元器件的研发、生产及销售。
49、广东德豪润达电气股份有限公司
总部：广东主营：LED系列产品。
官网：http://www.electech.com.cn/
50、上海上整整流器有限公司
注：排名无先后,仅作参考。如有遗漏错误之处请指正，电话400-0933-666，邮箱ittbank@ittbank.com。
总部：上海主营：专业致力于电力半导体器件生产。
官网：http://www.sh-sz.net/
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