HBM3E是海力士旗下第五代高带宽内存。
据科技媒体报道，继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存 HBM3E。半导体行业内部人士称，各大科技巨头已经在向SK海力士请求获取HBM3E样本，包括 AMD、微软和亚马逊等等。
AMD最近透露了其下一代GPU MI300X，表示它将从SK海力士和三星电子获得HBM3供应。除英伟达和AMD之外，亚马逊和微软则是云服务领域的两大巨头，之前已引入生成式人工智能技术，并大幅追加了对于AI领域的投资。
报道称，SK海力士正忙于应对客户对HBM3E样品的大量请求，但满足英伟达首先提出的样品数量要求非常紧迫。
SK海力士于2021年10月宣布成功开发出容量为16 GB的HBM3 DRAM，在2022年6月初即宣布量产。HBM3E是HBM3的下一代产品，SK海力士是目前世界上唯一一家能够大规模生产HBM3芯片的公司。
AI服务器带火HBM
HBM即为高带宽存储器，是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，具有更高带宽、更多I/O数量、更低功耗、更小尺寸等优点。
对于此轮存储芯片板块的上涨，其中主要有两个原因：其一，行业周期回暖。存储芯片产业自2021年以来进入长达近两年的下行周期，随着新一轮人工智能浪潮爆发，AI服务器将给存储芯片产业带来新的增量需求，预计2023年存储芯片市场规模将恢复至5400亿元;
其二，现象级产品的出现。近期英伟达发布了DGX GH200超级计算机，这款超算由256块GH200超级芯片组成，配备144TB内存，是英伟达目前DGX A100系统的近500倍，而存储作为AI算力需求中最重要的三个核心要素之一，有望迎来爆发式增长。
在DRAM的整体颓势之中，HBM却在逆市增长。据媒体报道，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单快速增加，HBM3规格DRAM价格上涨5倍。为应对人工智能半导体需求增加，有消息称SK海力士将追加投资高带宽存储器（HBM）产线，目标将HBM产能扩大2倍。
TrendForce集邦咨询发表研报称，目前高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，预计2023年全球HBM需求量将增近六成，达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。
HBM未来市场规模超20亿美元
随着模型的进一步复杂化，推理侧采用Nvidia A100/H100 等中高端GPU是大势所趋，HBM的渗透率有望快速提升。据测算，到2025年HBM整体市场有望达到20亿美元以上。
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佰维存储
公司针对智能汽车前装市场已推出车载eMMC、UFS、LPDDR以及BGA SSD等嵌入式存储芯片，目前处于客户验证和导入阶段。
澜起科技
公司在内存接口芯片领域深耕十多年成为全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/伴缓冲完整解决方案的主要供应商之一，是全球仅有的3家内存接口芯片供应商之一，市场份额全球第二，Fabless经营模式，12代酷睿带来的DDR4向DDR5的升级潮以及津逮服务器的放量为公司带来新的增长驱动力。
江波龙
公司于上海研发中心建设芯片设计研发团队，主要聚焦SLC NAND Flash等小容量存储芯片设计。公司自研SLC NAND Flash存储芯片产品中，除4Gbit 容量的产品处于样品验证阶段外，其他3款容量的产品（512Mbit、1Gbit、2Gbit）均已实现量产出货，公司在中国大陆率先推出了512 Mb SLC NAND Flash小容量存储芯片。
太极实业
DRAM封装龙头:子公司海太半导体的封测业务主要是为SK海力士的DRAM产品提供后工序服务，对12英寸1Z纳米级晶圆进行集成电路封装子公司太极半导体为专业代工运营模式(IDM)的封测公司，可为Nand Flash和DRAM产品提供封测服务，完成1aDRAM和176层NAND的验证并量产
兆易创新
国内存储龙头，是A股中技术最为先进的存储厂商；NORFlash、NAND Flash及MCU为主要产品的业务板块。公司是全球排名第一的无晶圆厂Flash供应商。据Web-Feet Research报告显示，公司Serial NOR Flash市占率增长至20%，市场排名全球第三，据Omdia统计全球MCU市场排名情况，年度公司排名第13位，公司市场排名大幅提升至全球第8位。公司是中国品牌排名第一的32位Arm通用型MCU供应商。
聚辰股份
公司将持续以市场需求为导向，以自主创新为驱动，巩固在非易失性存储芯片领域的市场领先地位，丰富在驱动芯片等领域的产品布局。
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