GPIO的Drive strength测试方法

文章出自 网始如芯 CSDN 

芯片IO口Driving能力（Sourcing Current）测试方法

Part 1 

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前面我们写了3篇文章探讨GPIO有关压摆率，驱动强度，上下拉等，

1 . IO驱动电流 4,8,12mA如何定义的？

2 . IC内部实现方法：IO Drive strength/slew rate/Pullup

3 . GPIO作为输入是高阻的吗

今天看一看GPIO在出厂前经历的驱动强度测试，我找了一篇文章，其实测试方法是比较难以找到资料，基本只有IC厂内部才有，

下面这篇文章不能说和我司厂里的文档有些相似，只能说基本一致，只不过是中英文差异。沈土豪怀疑其实这位同仁很有可能就是我们公司的。

Part 2 

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PMOS管测试步骤（Drive High Ability）

1、将IO PAD配置成output模式，DUT供电电压为可正常工作的最低电压，如依datasheet允许，下降10%（3.3V——>2.97V）等。

2、将IO PAD配置成最大Driving电流（Idrv-max）模式，例如，如果PAD driving能力有4/8 mA两档，则应该选择8mA这档进行测试。

3、将IO PAD连接电子负载设备（Electronic Load），电子负载设备设定灌电流为8mA。

4、将IO PAD持续输出高电平。

5、测量IO PAD端的压降，一般要求是高于Voh或者是大于供电电压的85%（2.97x0.85=2.5245）。

NMOS管测试步骤（Drive Low Ability）

1、将IO PAD配置成output模式，DUT供电电压为可正常工作的最低电压，如依datasheet允许，下降10%等（3.3V——>2.97V）。

2、将IO PAD配置成最大Driving电流（Idrv-max）模式，例如，如果PAD driving能力有4/8 mA两档，则应该选择8mA这档进行测试。

3、将IO PAD连接电子负载设备（Electronic Load），电子负载设备设定灌电流为8mA。

4、将IO PAD持续输出低电平。

5、测量IO PAD端的压降，一般要求是低于Vol或者是小于供电电压的15%（2.97x0.15=0.4455）。

Part 3 

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上面的资料，需要对GPIO的驱动强度，电子负载仪，稍微有一点点认识应该就可以了。