免责声明：内容如有侵权，请联系本部删除！
封装形式的发展
SGNEC现有封装形式
封装
形式
SSIP
SOP
SOJ
TSP
QFP
数量
7P-9P
20P
-42P
-54P
44P
尺寸
(mail)
-
300-375
300-400
400
10*10
间距
(mm)
2.54
1.27
1.27
0.8
0.8
重量
(g)
0.47-0.59
0.28-0.48
0.75-1.7
0.54
0.54
SGNEC组立发展过程
组立流程
划片工艺
🔺从设备上区分有：金刚石划片和激光划片两种。由于激光划片设备昂贵，金刚石划片是目前较为流行的。
半切作业流程
全切作业流程
划片刀
划片外观检查
划伤：划伤是由于芯片表面接触到异物：如镊子，造成芯片内部的AI布线受到损伤或造成短路，而引起的不良。
缺损：缺损是由于芯片的边缘受到异物、或芯片之间的撞击，造成边缘缺损，有可能破坏AL布线或活性区，引起不良。
崩齿：由于大圆片为Si单晶体，在划片时就不可避免的形成崩齿，崩齿的大小与划片刀的种类有关，崩齿过大造成缺损。
粘污：粘污就是异物附在芯片表面，如：Si屑，会造成内部的短路等。
扩散：在扩散工序产生的不良，如：图形不完整等不良，也要在PMM工序予以去除。
此处广告，与本文无关
划片参数
型号：崩齿、划伤、裂纹本身的寿命。
转速：缺损、崩齿。
速度：划片轨迹、崩齿、缺损。
方式：粘划片方式有向下、向上两种模式，对芯片表面及背面的崩齿（缺损）有影响。
高度：芯片背面Si屑、崩齿的情况有影响。
粘片工艺
封共晶合金法示意图
银浆粘片示意图
胶带粘片示意图
芯片的提取
粘片的工艺控制
①粘片的位置：使键合识别稳定。
②银浆饱和度：保证粘片的强度。
③粘片机械度：芯片的固着强度。
④芯片外基准：粘污，划伤，缺损。
⑤芯片的方向：在芯片胶带的接着强度。
键合工艺原理
键合工艺的控制
金球压着径
金球压着厚度
金线高度
金线拉断强度
金球剥离强度
键合主要不良项目
包装入库
包装的主要目的：保证运输过程中的产品安全，及长期存放时的产品可靠性。因此对包装材料的强度、重量、温湿度特性、抗静电性能都有一定的要求。
联系客服
