1） 天科合达：从产量、良率等方面均处在国内领先地位。产能：当前12~13片芯片产出，北京、江苏徐州、新疆（原料合成、晶体 生长等）为其生产基地;最近在北京大兴扩产,预计2023年大兴一期投产, 届时会有二十五万片产能；2025年大兴二期投创，产能达50万片。单品价格：6寸大约处在5500元上下，比国外cree低10%左右。2） 天岳先进：最近将半绝缘一部分产能转换成6寸，一个月产出2000多 片。最新的三年长期订单，大约为20多万片，平均每年6~7万片，客户应 该是瀚天天成，国外可能是博世。临港厂导电型扩产产能30片，预计在2023-24年达成目标。3） 同光、烁科等国内企业也在积极扩产，具体情况还需观察，他们都在半 绝缘方面花费了较多精力，目前处于送样和小批量阶段，但他们拥有深厚的 技术积累，未来会有爆发点。4） 露笑、东尼电子、晶盛机电等新兴厂家，在近两年有大量布局。露笑与 中科院硅酸盐所陈教授合作；东尼聘请了中国台湾中央研究院物理所专家， 目前现在还在产品研发、送样阶段，以后和后道的瀚天天成、东莞天域已经建立了发展，但sic行业送样、小批量、大批量需要周期，所以需要观察。国内外的进展：比预期估计更快些，许多汽车厂，如比亚迪、蔚来、小鹏、 长城等都在推出碳化硅产品，终端推动了上游企业的进展。特别是天岳的大 订单，加速了产业化进展。国内外产品对比：海外厂商cree、26产品性能有优势；主要是稳定性、一 致性上面的差距，国内产品主要系数都能满足要求，但是波动性较大，这会 对后道加工形成困扰，后面车规级等需要也对稳定性有要求。主流是pvt法优势：成本低，能够快速从实验室中脱颖而出；劣势：良率低, 生长速度很低；液相法生长温度更低，PVT需要2300摄氏度，而液相法仅1000多摄氏度, 理论上可以实现生长速度更快，缺陷更少。国内中科院物理所陈小龙教授， 国外住友都在研发推进。目前进展不太快，仅在2寸上面实现大约1 cm的生长，此方法还有待进一步提升。Q：天岳、东尼、露笑等都和下游有大订单，这些订单的约束能力及评价？A:天岳可能是实际产品交付订单，其他可能是战略合作协议，战略合作只 能作为轴，具体需要看公司发展情况。天岳订单的实际情况、未来交付比较明确，天岳已经每月明确出货，所以业Q：未来2-3年里，导电型衬底产品价格下降趋势？国内良率低于海外，且 良率提升更慢，是否会影响价格？A:比如天科当前单价5500左右，毛^率35-40%,良率在50%左右，而 cree综合良率在70%以上，未来6寸导电产品价格会继续下降，当降幅会 减缓至每年5%左右，6寸导电型衬底降价主要由cree控制，因为它的产品 质量、产能都主导市场，且终端市场批量化使用也对价格有明确要求。终端市场对价櫛用有鮭的议价权”只有价格降低到一定毆下游才能够 批量化，产业才能发展。Q: cree的8寸马上投产，他带动价格下降压力较大？A: cree2024年8寸将投产，一开始价格较高，后面会快速下降。A:天科2020年开始研发8寸，计划2025年小批量生产。Q：天岳在半绝缘型方面的技术积累是否有利于其在导电型方面的发展？A:核心原理一致，都是PVT法，利用温场温度梯度形成动力来长晶，二者 有相通性。也有很多其它技术如原料合成、籽晶、热厂设计、参数调整等因 素也会景彳响良率和产品质量。天岳在2~3年前已经布局了导电型，只是近 期有所突破”开始批量生产。Q：从行业上来讲”良率能否保持每年10%的提升吗？在技术上会有瓶颈 吗？A4:这跟研发能力相关，前期可能快速提升，但在提升到一定程度后，良率 在达到50%后，提升就会比较慢。cree到了 70%以后，在往上提也很困难, pvt法可能本身有局限，所以业界也在尝试其他方法。A:天科合达2前开始布局”山西烁科已经发布8寸产品，应该也有布局， 但研发成功到工业化量产还需一定时间。技术储备是有的，比如天科合达， 和中科院有一些项目上的合作，在液相法上面也有布局。Q：国内主要玩家（天科合达、天岳、东尼、三安、露笑等）各家衬底产品 性能的排序是怎么样的？A:综合下来，这几家跟国夕卜对比，做的比较好的是有的。但这几家与国外 的差距主要是在于产品的稳定性，这是决定能否快速达到车规级的关键。而 至于刚刚起步的公司，由于还没有大规模生产，所以无法进行有效的比较。A:几乎都是自产，把自己做的好的晶锭作为籽晶自己使用。Q：现在sic行业的商业模式是怎么样的？在衬底-外延-器件-tied -车厂的 产业链上主要的订单谁来下？谁占主导权？A:主要是外延厂家，这是天科、天岳的主要客户，还有一些器件厂家会指 定衬底，也有汽车厂，直接和衬底厂进行合作。当前没有固定的模式，合作 方式也很灵活。Q：国内现在提供大单的外延厂家都有哪些？国内国夕湘应较大的器件厂商 都有哪些呢？A:瀚天天成、东莞天域、55所、三安，是导电型比较大的外延厂家，泰科 天润、中车、华润微、三安、基本半导体是器件领域做的比较好的厂家。外 延厂产能：天域，月产能约5000片6寸，在逐步扩产；其他几家情况类似。Q：衬底厂商上游长晶炉的采购情况？以及国内外参与的厂商？A:基本上规模较大的衬底厂家都自己做长晶炉，没有从外面采购，都是自 主研发、生产制造出来的。天科在沈阳有自己的分公司”是专门做生长炉，有自己用也有对外销售。其 他家也是类似的…据了解，天岳也是自己做，前期可能从北方华创去买，但 后面也都是自己做，因为这一块有一些核心的环节，它基本上把这些核心环节掌握在自己手里。国内也有一些厂商在做这个炉子，比晶盛机电、北方华创。长晶炉价值量并 不高，单价不到一百万，大概几十万。国夕卜专门做碳化硅长晶炉的基本上很少，像科锐也都是自己做的。所以这个 市场相对而言不大。A:对，因为长晶炉门槛并不高，基本上全部都能国产，没必要从外面去买, 价值量也不尢 自己能做可以管控成本，所以基本上都自产。A:外延厂是它主要的大客户，例如普兴、五十五所、瀚天天成、三安光电 等；国夕卜的安森美是比较大客户，占比大概20%。Q：衬底也分MOS和二极管级别，现在国内哪些厂家能做MOS级别的衬 底？A:现在好多厂家也都能做工业级的MOS,但是能做车规级的MOS的厂家 应该不多。A:在衬底这个环节不会去区分车规级还是工业级。后续的还会根据材料、 数量等去做具体的检测和划分。A:会的，会把芯片划分为Z级、P级、D级及N级等。厂家会和客户沟通 后提供客户所需等级的芯片的出厂检测报告。国内基本能做，但是量和良率 是主要问题。目前量最大的还是天科。A: 一根2厘米厚度的晶体大概能切出20多片。基本上每家厂家情况都差 不多”因为都是采用市面上主流的多线切割的方式。Q：三安光电现在做得怎么样？它的衬底对比天科、天岳是怎样的水平？碳 化硅MOS等的具体进展？A:据我们了解，三安光电之前可能在衬底这一块走了一些弯路，后面转去 做PVT法，目前进度不是太快，良率还有产能也不是太高。但是它的一些 夕涎器件其实做得还可以，在这个领域内做得还比较靠前的。现在它可能还 会大批量地从外面拿一些衬底来补贴外延和器件。Q：关于切割技术，您刚刚提到多线切割技术，而现在海外也有一些冷切割、 激光切割等技术。从技术层面来看，您认为什么时候会倒入新技术？对良率提升会有什么帮助吗？A:这些技术我们之前也听说过，国内的一些公司也开始研发这种技术，但 目前还不成熟。这个技术主要能提升出片率而不是良率，例如20毫米厚度 的晶体大概可以翻倍切出30 ~40多片,所以从出片率上能提升很大一部分。这个技术目前还没成为主流，可能还要再观察一段时间PS：如若内容对您有所帮助，请记得点赞、在看、转发，您的鼓励是对我的肯定，也是我最大的动力源泉！
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