GaN材料相信大家都不陌生了,就连电梯广告的快充都打着第三代GaN快充技术。 氮化镓是一种宽能隙材料,它能够提供与碳化硅(SiC)相似的性能优势,但降低成本的可能性却更大。业界认为,在未来数年间,氮化镓功率器件的成本可望压低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等价格。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
最近看了一篇GaN技术和市场的技术报告,写的还是很全面的,
GaN器件的功率密度是砷化镓(GaAs)器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能够提供更宽的带宽,更高的放大器增益和更高的效率,这是由于器件外围更小。
GaN场效应晶体管(FET)器件的工作电压可以比同类GaAs器件高五倍。由于GaNFET器件可以在更高的电压下工作,因此设计人员可以更轻松地在窄带放大器设计上实现阻抗匹配。阻抗匹配是以这样的方式设计电负载的输入阻抗的实践,其最大化从设备到负载的功率传输。
GaNFET器件的电流是GaAsFET器件的两倍。由于GaNFET器件可提供的电流是GaAsFET器件的两倍,因此GaNFET器件具有更高的带宽能力。大部分的半导体器件对于温度的变化都是非常敏感的,为了保证可靠性,半导体的温度变化必须被控制在一定范围内。
来源于芯片工艺技术,作者芯片工艺技术
赵工
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