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半导体制造工艺相当复杂，流程繁多，我们已经陆续介绍了Fab里几种最关键的工艺环节，下面来做一个简单的回顾。
Litho
该工序的作用是将图形信息从掩模版（也称掩膜版）上保真传输、转印到半导体材料衬底上，关键指标包括分辨率、灵敏度、套准精度、缺陷率等。
Etch
蚀刻可以结合物理和化学方法，通过调节气体比例、温度、电场强度和气压等各种参数，使晶圆的数千亿个晶体管具有相同的图形，在任何条件下都尽量保持统一一致的结果，这对于良率提升来说非常重要。
在实际的刻蚀工艺中，我们主要采用将化学和物理方法相结合的反应性离子刻蚀（RIE, Reactive Ion Etching）。RIE属于干刻蚀的一种，它将刻蚀气体变成等离子，以进行刻蚀。
刻蚀使用的气体也很重要。
IMP
IMP是一种主要的掺杂方式（另一种常见的是扩散）。
Thin Film
TF是衬底上生长金属，绝缘体薄膜的沉积技术。均一性和再现性非常重要。分为物理气相沉积PVD和化学汽相淀积CVD。
目前， PVD用于半导体制造领域逻辑和储存器上制造超薄，超纯金属和过渡金属氮化物薄膜 。
还有一种特殊的沉积方式，即原子层沉积（ALD，Atomic Layer Deposition）。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处，但是又有不同的生长方式。 ALD最大优势在于沉积层极其均匀的厚度和优异的台阶覆盖率 。
WET
半导体清洗方法多样，包括干法和湿法清晰，如RCA清洗、稀释化学法、IMEC清洗法等，RCA清洗是目前最常用的。标准流程如下：
此外，清洗后的干燥流程也很重要。
CMP
CMP工艺在半导体制造的多个阶段中应用广泛，包括但不限于集成电路的金属层间绝缘介质的平坦化、铜互连工艺中的铜布线平坦化，以及晶体管栅极制造中的平坦化。可以分为化学和物理过程。
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