摩尔定律在内存行业继续适用
来自外媒Computerbase的分享，三星技术日2021透露了公司在其内存技术上的未来路线图和创新。
由于三星要求禁止拍摄任何照片，本次活动没有任何幻灯片或者其他影像资料。不过Computerbase对三星高管和工程团队的资料进行了一套易于分析的概述，因此可以比较容易地获得本次技术日的信息。
DDR6-12800
DDR5内存在本月才和英特尔12代酷睿处理器一起进入消费级市场，一般消费层级基本要等到2023年才能迎来DDR5内存的真正合适的定价。根据微星的调研预测，DDR4内存时代过渡到DDR5需要很长时间，至少需要两年。
然而，在2021三星技术分享日上，三星已经开始向客户介绍下一世代的DDR6技术，据说它可以提供双倍的速度和带宽。DDR6标准目前尚未由JEDEC组织正式化，但是默认的规格应该在12800Mbit/s左右。三星表示，DDR6内存技术尚在早期开发阶段，因此这个规格可能会在未来发生变化。不过来自Computerbase的消息，超频的DDR6内存可达到17000Mbit/s。
三星提到，DDR6内存每个模块将具有4个通道（相比起DDR5再翻一倍）。如果购买了DDR5内存的用户会发现，不需要买两条内存，单条的DDR5内存即可达成双通道。
GDDR6+和GDDR7，以及HBM3
三星还提到了之后对显存GDDR6标准的信息，三星透露，目前研发团队正在开发GDDR6+标准，提供高达24Gbps的速度。这比目前基础的GDDR6标准所用的18Gbps更快33%，GDDR6显存将很快使用三星1z工艺制造（10nm）。
对于路线图上更远的GDDR7标准，三星没有标准具体日期，但是该技术旨在达成显存带宽32Gbps并且具有“实时错误防护”功能，更多细节还在画饼。
Computerbase报道称，三星将在2022年第三季度开始生产第三代高带宽内存，即HBM3。这种内存直接与处理器相连，在需要高吞吐的系统上比起传统内存性能提升极高。
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