首次证实半导体材料3C-SiC的高热导率

本文851字，阅读约需2分钟

摘要：研究小组通过热导率评估和原子水平分析，首次证实Air Water公司开发的半导体材料3C-SiC具有与理论值相当的高热导率。研究小组称，3C-SiC即使是薄膜状也可表现出高热导率，因此有望应用于集成电路。另外，3C-SiC相对容易量产和大面积化，有望提高集成电路的性能并应用于光子学。

关键词：半导体、3C-SiC、热导率、原子水平分析、Air Water公司、碳化硅(SiC)

研究小组通过热导率评估和原子水平分析，首次证实Air Water公司开发的半导体材料3C-SiC具有与理论值相当的高热导率。3C-SiC成本相对较低，可制成大直径晶圆，因此有望为实现高散热性器件做出贡献。

碳化硅(SiC)作为新一代功率器件的半导体材料备受关注。为防止因温度升高而导致器件故障和性能下降，需要开发具有高热导率的材料。Air Water公司开发了在Si（硅）衬底上形成高质量SiC晶体3C-SiC的独创技术，自2012年起使用该技术制造并销售用于GaN（氮化镓）生长的衬底。

研究小组研究了3C-SiC晶体的热导率，并在原子水平上对其进行了分析。结果表明，在大直径材料中，其热导率仅次于金刚石，具有第二高的热导率。此外，还证实当被制成毛发1/50厚的薄膜状时，可表现出比金刚石更高的热导率。

在此基础上通过原子水平分析探究高热导率的原因时发现，3C-SiC晶体纯度高，晶体内的原子排列规则，因此作为单晶的质量非常高。此外，在硅衬底上形成3C-SiC晶体并分析界面的热导率时，发现界面处的原子排列没有大的变动，与硅衬底的界面也表现出高热导率。

据研究小组称，3C-SiC即使是薄膜状也可表现出高热导率，因此有望应用于集成电路。另外，3C-SiC相对容易量产和大面积化，有望提高集成电路的性能并应用于光子学。

翻译：李释云

审校：刘翔

李涵

通稿：李涵

获取原文

如需原文信息，请联系邮箱获取：support@aipatent.com（请注明“获取日文原文”）

征稿启事

本站仅提供存储服务，所有内容均由用户发布，如发现有害或侵权内容，请点击举报。