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2023.09.01 北京
9月1日,三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组的两倍,功耗降低10%,且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组。此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础。全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。(全球TMT)
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