近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
耐威科技：
7月5日，耐威科技公告称，公司与青岛市即墨区人民政府、青岛城市建设投资（集团）有限责任公司在2018年国际集成电路产业投资（青岛）峰会上签署《合作框架协议书》。耐威科技发力第三代半导体材料，其氮化镓材料项目宣布签约青岛。
今年5月24日，耐威科技宣布与袁理先生、青岛海丝民和半导体投资中心（有限合伙）、青岛民芯投资中心（有限合伙）共同投资设立两家控股子公司——聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司与青岛聚能创芯微电子有限公司，耐威科技分别持股35%、40%。
两家控股子公司业务均与氮化镓（GaN）相关：聚能创芯主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率与微波器件的设计、开发；聚能晶源主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产。
耐威科技表示，这次合作有利于公司加快第三代半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产进度；有利于公司把握产业发展机遇，尽快拓展相关材料在国防装备、航空电子、5G 通信、物联网等领域的推广应用；有利于公司以传感为核心所进行的“材料-芯片-器件-系统-应用”的全面布局。耐威科技紧密围绕军工电子、物联网两大产业链，一方面大力发展导航、MEMS、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、智能制造等潜力业务，主要产品及业务包括军/民用导航系统及器件、MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、航空电子系统等。
三安光电：
美国加利福尼亚州森尼韦尔, June 24, 2019 (GLOBE NEWSWIRE) -- 三安集成电路有限公司(简称三安集成)，一个拥有化合物半导体晶圆铸造先进技术平台代工厂今日宣布，运用于最新高压AC/DC和DC/AC电力电子领域的150mn硅基氮化镓(GaN)代工服务正式面向全球市场。三安集成的新G06P111是650V增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)GaN过程增加了公司的电力电子晶片铸造组合的宽带化合物半导体(银行),包括100毫米和150毫米碳化硅(SiC)高压肖特基势垒二极管(作为)。凭借其多年在LED领域氮化镓量产制造经验的母公司三安光电股份有限公司, 三安集成能够补充与内部金属的铸造服务增长能力的高电压、低泄漏硅基氮化镓外延晶片高一致性。
三安集成总经理助理陈文欣表示，公司发布650V GaN E-HEMT工艺是对于先进化合物半导体制造业全球市场代工服务的承诺。我们认为硅基氮化镓是今天高电压、大功率电力电子行业以碳化硅为主的宽带半导体的主要补充技术。器件供应商和系统设计师在传统迁移到宽禁带半导体硅增强性能、效率和可靠性高功率模拟设计。三安集成也将成功服务于这个高速增长、大规模的电力电子市场。
公司的G06P11 硅基氮化镓工艺，通过JEDEC的工艺可靠性标准，能够提供650V E-mode FETS的器件结构，并且支持漏源通路状态从50m?到400m?电阻范围。工程上能够低泄漏、低栅极电荷、高电流密度和低动态特定阻力(Rsp)，这能够使超高速开关紧凑设计在高温状态中操作。在今年晚些时候公司将推出200V的氮化镓E-HEMT工艺以及第二代碳化硅肖特基势垒二极管与肖特基二极管结构相结合的工艺。
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