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芯片mosfet 温升计算

ΘJA是结到周围环境的热阻,单位是°C/W。周围环境通常被看作热“地”点。ΘJA取决于IC封装、电路板、空气流通、辐射和系统特性,通常辐射的影响可以忽略。ΘJA专指自然条件下(没有加通风措施)的数值。

ΘJC是结到管壳的热阻,管壳可以看作是封装外表面的一个特定点。ΘJC取决于封装材料(引线框架、模塑材料、管芯粘接材料)和特定的封装设计(管芯厚度、裸焊盘、内部散热过孔、所用金属材料的热传导率)

结点温度指封装与散热外壳之间的温度。

一般mosfet的结构分为晶元+封装+散热外壳(自身非外置散热器)

由于结温不好测量,一般使用壳温,计算如下:

1.

TJ= TA + (ΘJA × P)

其中:

TJ        = 壳温

TA        = 周围环境温度

P        = 功耗,单位为W,根据Rdson和电流计算

2.规格书里有最大功率P,不要超过

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