该内容转载自卡蒙的记录
1、电流方向
这里仅以用的较多的增强型MOS管作为示例,其他的可以按照同样的方法分析,分析如下:
增强型N沟道
增强型P沟道
因为衬底和源极S是连接在一起的,对于增强型N沟道而言,下面是内部示意图,Vgs > Vgs(th)(开启电压)后,形成了N沟道。从内部结构图中可以看出,漏极D电流是从N沟道流向了源极,验证了上图中电流方向是合理的。
增强型N沟道内部示意图
2、与栅极G串联的电阻起到的作用
a. 驱动调节能力,调整开关速度。寄生电容Cgs充电过程中的瞬间电流I = C * du/dt,以下借鉴网络上计算的瞬间电流,可以看出Cgs较大,瞬间电流可达0.6A,这样会损坏驱动MOS管的芯片,串联电阻降低电流。但是电阻不是随意选取的,电阻选取过大的话,会影响到MOS管开通时间,时间过长导致管子发热严重出现损坏现象。选取电阻时,可以使用示波器查看开启或者关断持续的时间,从而选取合适的值。
b. 与寄生电容一起震荡,引起工作异常。驱动走线过长,会导致走线中产生寄生电感,与MOS管结电容一起产生LC震荡电路。在开关波形的方波中,有很多频率成分,很有可能与谐振频率相同或者相近,形成串联谐振电路,串联电阻减小震荡电路的Q值,使震荡快速衰弱,避免对电路造成损坏。
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