关于MOS管的几个困扰点

该内容转载自卡蒙的记录

1、电流方向

这里仅以用的较多的增强型MOS管作为示例，其他的可以按照同样的方法分析，分析如下：

增强型N沟道

增强型P沟道

因为衬底和源极S是连接在一起的，对于增强型N沟道而言，下面是内部示意图，Vgs > Vgs(th)（开启电压）后，形成了N沟道。从内部结构图中可以看出，漏极D电流是从N沟道流向了源极，验证了上图中电流方向是合理的。

增强型N沟道内部示意图

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2、与栅极G串联的电阻起到的作用

a. 驱动调节能力，调整开关速度。寄生电容Cgs充电过程中的瞬间电流I = C * du/dt，以下借鉴网络上计算的瞬间电流，可以看出Cgs较大，瞬间电流可达0.6A，这样会损坏驱动MOS管的芯片，串联电阻降低电流。但是电阻不是随意选取的，电阻选取过大的话，会影响到MOS管开通时间，时间过长导致管子发热严重出现损坏现象。选取电阻时，可以使用示波器查看开启或者关断持续的时间，从而选取合适的值。

b. 与寄生电容一起震荡，引起工作异常。驱动走线过长，会导致走线中产生寄生电感，与MOS管结电容一起产生LC震荡电路。在开关波形的方波中，有很多频率成分，很有可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路，串联电阻减小震荡电路的Q值，使震荡快速衰弱，避免对电路造成损坏。