原文：芯片上的突破 清华制成世界上栅极长度最小晶体管
清华团队首次实现亚1纳米栅长晶体管
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【回形针PaperClip】为什么芯片上的晶体管越做越小？
TIANSHIBWG    阅129    转2
清华大学《Nature》：突破1nm以下！
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现在的芯片制程达到瓶颈后，还有什么可选的进化路线？
漫步之心情    阅3191    转7
晶体管小尺寸背后的大突破
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突破硅半导体极限，1纳米工艺的晶体管已经诞生
万语千言525    阅160    转2
More Moore最新路线图浅读
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1nm将如何实现？
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DRAM制程失速
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大咖说|IMEC执行副总裁说，下一步在微缩和堆叠领域将出现……
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英特尔PowerVia技术率先实现芯片背面供电，突破互连瓶颈
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别再管多少纳米芯片了，28nm之后，工艺其实就靠吹牛
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晶体管历史上最伟大的里程碑式发明
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清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管
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场效应晶体管
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【深度】摩尔定律的黄昏，十大方向带来计算行业的黎明 | 新智元出品
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芯片里的晶体管是什么样子？
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晶体管工作原理是什么?
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Intel CPU： Intel推出22nm“3D”芯片(Video + Text)
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湖南大学新出一项研究成果，芯片性能提升将有全新方案
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从器件物理层面看MOSFET的内部结构
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超大规模集成电路中的非理想性
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晶体管微缩，还需要考虑哪些问题？
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等芯片一直突破1nm之后，之后的出路在哪，会往更小发展吗？
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3纳米芯片工艺节点所面临的难点：开发成本大幅攀升
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前沿 | 揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构
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重磅！湖南大学突破这一芯片技术瓶颈，引发国际关注！
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功率MOSFET基本结构：平面结构
adlsong    阅15    转2
全球5nm旗舰芯片大翻车！但这个锅：却要芯片代工厂商背了？
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