原文：中科院研发铜掺杂p型半导体材料，可印制1-20nm厚的二维薄膜材料
​率先研发“氧化镓”的NICT对于半导体器件未来的预测
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【独家专题】日本第三代半导体研发应用进展
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下一代功率半导体争夺战开打
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氧化镓|美国布法罗大学研制出耐压1850V的氧化镓晶体管，提高器件功率并保持小体积、低质量
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超宽禁带半导体材料氧化镓器件最新研究进展
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镓 | 战略性矿产家族的新成员
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科学家开发超短沟氧化铟晶体管，主要基于原子层沉积技术。【伟业智芯和王欣荣】馆藏资料20220404
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【人物与科研】中科院北京纳米能源与系统研究所孙其君研究员和王中林院士研究团队：一种新型的二硫化钼摩擦离子电子学晶体管
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