原文：蚀刻时间/缺陷率呈正函数关系　SiC晶圆表面处理时间要抓紧
“拯救”SiC的几大新技术
carlshen1989    阅148    转2
昭和电工将向东芝供应SiC外延片
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半导体工艺之气相外延
bxud    阅206    转5
谁会是SiC市场的最后赢家？
懒人葛优瘫    阅131    转9
三安光电：股票投资分析报告
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国产化进程大提速，SiC衬底迎来黄金成长期
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800V“绝配”碳化硅
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估值高达360亿！碳化硅龙头吸引四家企业投资
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功率半导体晶圆材料技术的新商机，「SiC」「GaN」带动新增长
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热度不减的氮化镓
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绝对干货 | 外延法制备石墨烯工艺详解
BaidzBarnett    阅5309    转113
宽禁带半导体SiC和GaN材料研究
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开拓SiC衬底生产
昵称33743215    阅57    转2
晶圆制备-Epi
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LED 外延片
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表面缺陷对 SiC JBS二极管特性影响研究1.引言作为第3代半
leafcho    阅26
LED衬底行业报告：下游繁荣带动上游建设
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三安光电：拟投资160亿元在长沙建设第三代半导体产业园项目
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LED晶粒/芯片制造流程
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外延生长
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一张图看懂SiC电力电子器件产业链
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史上最全第三代半导体产业发展介绍
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LED衬底材料的概念、作用、种类及性能比较
云中子821    阅2904    转19
中国5G氮化镓PA产业及市场分析（下）：重要企业与产品汇总
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