原文:
进展 | 利用全二维材料构筑超短沟道晶体管取得突破
中国科学院金属研究所高效光电探测器研究取得新突破
timtxu 阅13
山西大学85后科学家制造出世界上最薄的鳍式晶体管,突破半导体工艺,曾获Physics World年度...
zjshzq 阅377
硅晶体管将被取代?全碳自旋电子器件更加小而快!
大隆龙 阅151 转4
当芯片工艺制程进入到2nm节点之后,摩尔定律还会如何继续?
漫步之心情 阅970 转4
美用一个分子厚的二硫化钼造出复杂电路
独立学生 阅117 转3
二维材料|奥地利高校研制出迄今为止由二维材料制成的最复杂微芯片,向新一代电子设备迈出重要一步
大国重器元器件 阅81
我国集成电路研究取得突破
餐意院 阅45
等芯片一直突破1nm之后,之后的出路在哪,会往更小发展吗?
3605馆长 阅1283
场效应管工作原理
lauexue 阅364726 转2714
高电子迁移率晶体管(HEMT)
别样的烟火 阅2093 转25
这位24岁的华人科学家,或将改变美国的芯片历史!
法厉无边 阅13759 转7
《Materials Today Nano》混合异质结构:未来新型功能器件之路
材料科学网 阅1070
南京大学团队首次在二维材料中观测到弹道雪崩现象
skysun000001 阅44
石墨烯和他的二维家族
依薷书坊 阅157
Nature:芯片制造进入原子时代!
老虎狗主人 阅31
类神经突触晶体管和忆阻器研究中取得进展
懒人葛优瘫 阅192 转3
超灵敏二硫化钼湿度传感器研究获进展
提着灯笼追月亮 阅55 转2
【人物与科研】中科院北京纳米能源与系统研究所孙其君研究员和王中林院士研究团队:一种新型的二硫化钼摩擦离子电子学晶体管
ChemBeanGo 阅153
半导体集成电路系列(二):MOSFET
Long_龙1993 阅834 转14
化学学院彭海琳课题组在《自然·纳米技术》报道超高迁移率二维氧化物半导体新发现
yangmill 阅169 转2
芯片上的突破 清华制成世界上栅极长度最小晶体管
润德堂i98bjjfg 阅9
新材料打造的电子元器件,据说“炼丹炉”都拿它没办法
zhuxrgf 阅133 转5
除了石墨烯,还有这些二维材料可以改变世界
鳳道隨風 阅537 转5
制造工艺重要突破:将对二维半导体器件制造产生深远影响!
BBSBIAN 阅670 转26
忆阻器及相关材料的最新研究进展
azliu0731 阅1556 转18
场效应管的识别和其基本知识介绍
tingyudesy 阅471 转18
半导体器件参英文缩写与中文全称对照
ldjsld 阅486 转4
场效应管没那么难,其工作原理就是一个电控开关,一点也不复杂
da张家 阅87
电力场效应管
不骗中国人 阅45
我科学家发现单分子晶体管中电子的量子干涉效应
老沈阅览 阅42
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