原文：AlGaN / GaN HEMTs-器件操作和应用概述
【学术论文】GaN FET的结构、驱动及应用综述
ChinaAET    阅490    转3
氮化镓|日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层，将GaN HEMT的输出功率提高到19.9W / mm栅宽
大国重器元器件    阅206    转3
大连理工大学教师个人主页系统 黄火林
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金刚石作为散热材料在氮化镓基电子器件中的应用
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《涨知识啦21》---增强型 HEMT器件
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谈谈GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
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进展 | 纯n型III族氮化物半导体异质结构实现p-n结整流特性
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P-N结增强GaN HEMT
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氮化镓，再起风云
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富士通开发出功率超强的氮化镓晶体管
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深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术
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使用一张图，看懂GaN功率管的结构及工作原理
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聚焦“SiC”与“GaN”
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干货 | 功率器件的dv/dt和di/dt有多大？
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氮化镓|日本宇航研究开发机构测试了日本松下公司的下一代氮化镓晶体管，证明其具有高抗辐射性能
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氮化镓(GaN)解决方案如何实现更高的能源效率？
金刚光    阅358    转2
SiC和GaN功率器件为何能够在电子界唱主角？原因在此
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Transphorm最新白皮书：常关D模式GaN相比常关E模式GaN的优势|gan|逆变器|高电压|常关d模式|常关e模式|transphorm
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IGBT 的门极驱动电压
liaoningjinzou    阅5309    转12
《硅基GaN HEMT和SJ MOSFET技术及成本比较》
郑公书馆298    阅663    转8