原文：TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器，可显著节约能耗，并为高压系统构筑坚强屏障
现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制
小草供销社    阅89    转3
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碳化硅(SiC)：经历46亿年时光之旅的半导体材料
wzawxt    阅327    转17
通过转向1700V SiC MOSFET，无需考虑功率转换中的权衡问题
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UC头条：优化SiC MOSFET的栅极驱动
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​IGBT工业应用驱动：从放大、隔离到保护的全方位性能拔高
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应用指南 | 如何选择合适的栅极驱动芯片
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罗姆SiC新进展：产能将扩建35倍，车载应用从电动压缩机到主驱
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东南大学科研团队发表基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述
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