原文：氮化镓|日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层，将GaN HEMT的输出功率提高到19.9W / mm栅宽
富士通开发出功率超强的氮化镓晶体管
茂林之家    阅346    转10
AlGaN / GaN HEMTs-器件操作和应用概述
leafcho    阅194
富士通首次展示氮化铝衬底生长氮化镓应用潜力
liuaqbb    阅61    转2
【学术论文】基于动态负载线GaN HEMT模型的谐波调谐功放设计
ChinaAET    阅50
氮化镓，再起风云
王太轩    阅9
金刚石作为散热材料在氮化镓基电子器件中的应用
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微波功率器件及其材料的发展和应用前景
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新技术研习社｜浅谈氮化镓电源的过去与未来
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谈谈GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
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热度不减的氮化镓
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松下研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管
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新成果：AlGaN-GaN基紫外光电晶体管的设计与制备
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《松下600V GaN高迁移率晶体管：PGA26C09DV》
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使用一张图，看懂GaN功率管的结构及工作原理
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深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术
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聚焦“SiC”与“GaN”
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要挑战SiC和GaN的功率半导体氧化镓是何方神圣？
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