原文:
氮化镓|日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层,将GaN HEMT的输出功率提高到19.9W / mm栅宽
富士通开发出功率超强的氮化镓晶体管
茂林之家 阅346 转10
AlGaN / GaN HEMTs-器件操作和应用概述
leafcho 阅194
富士通首次展示氮化铝衬底生长氮化镓应用潜力
liuaqbb 阅61 转2
【学术论文】基于动态负载线GaN HEMT模型的谐波调谐功放设计
ChinaAET 阅50
氮化镓,再起风云
王太轩 阅9
金刚石作为散热材料在氮化镓基电子器件中的应用
DT_Carbontech 阅203 转2
微波功率器件及其材料的发展和应用前景
帝企鹅加林 阅1331 转34
新技术研习社|浅谈氮化镓电源的过去与未来
懒人葛优瘫 阅124 转2
谈谈GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
亲斤彳正禾呈 阅206
热度不减的氮化镓
萧然静客 阅35
大连理工大学教师个人主页系统 黄火林
XiangBiao1 阅1334 转2
松下研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管
Paul_ZHANG1 阅80 转4
新成果:AlGaN-GaN基紫外光电晶体管的设计与制备
simucal 阅10
石墨烯量子点“披风”可让GaN紫外LED性能提升71%!
福建福州福清市 阅159
《松下600V GaN高迁移率晶体管:PGA26C09DV》
郑公书馆298 阅153 转5
使用一张图,看懂GaN功率管的结构及工作原理
adlsong 阅173
深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术
chywang1 阅4753 转38
聚焦“SiC”与“GaN”
ldjsld 阅1848 转21
要挑战SiC和GaN的功率半导体氧化镓是何方神圣?
cqukelly 阅397 转3
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