原文:
GaN|HRL将GaN HEMT线性度提升10倍,DARPA的DREaM项目进入下一阶段
富士通开发出功率超强的氮化镓晶体管
茂林之家 阅346 转10
《松下600V GaN高迁移率晶体管:PGA26C09DV》
郑公书馆298 阅153 转5
微波功率器件及其材料的发展和应用前景
帝企鹅加林 阅1331 转34
新技术研习社|浅谈氮化镓电源的过去与未来
懒人葛优瘫 阅124 转2
《Navitas 650V GaNFast功率IC系列》
leafcho 阅628 转2
谈谈GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
亲斤彳正禾呈 阅206
【学术论文】基于动态负载线GaN HEMT模型的谐波调谐功放设计
ChinaAET 阅50
氮化镓,再起风云
王太轩 阅9
热度不减的氮化镓
萧然静客 阅35
GaAs(InP) HBT的优势与劣势
Taylor 阅6283 转79
氮化镓如何在5G时代大展拳脚?
青山书坊 阅114
《涨知识啦19》---HEMT 的电流崩塌效应
simucal 阅490
富士通首次展示氮化铝衬底生长氮化镓应用潜力
liuaqbb 阅61 转2
简易双晶体管串联式实用线性稳压电源电路
破碎虚空lslck1 阅101
DARPA最前沿:新兴无线电发射机、战术海底网络架构项目、座舱机组人员工作自动化系统、抗振抗冲击惯性...
洞庭散人资料库 阅200 转4
DARPA启动“高稳原子钟”项目
mrin007 阅114 转4
光电集成的发展及前景
BBSBIAN 阅4120 转83
【前沿动态】DARPA研发不依赖GPS导航的抗振抗冲击惯性微型传感器技术
lucy78411 阅181 转3
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