原文：GaN|HRL将GaN HEMT线性度提升10倍，DARPA的DREaM项目进入下一阶段
富士通开发出功率超强的氮化镓晶体管
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《松下600V GaN高迁移率晶体管：PGA26C09DV》
郑公书馆298    阅153    转5
微波功率器件及其材料的发展和应用前景
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新技术研习社｜浅谈氮化镓电源的过去与未来
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《Navitas 650V GaNFast功率IC系列》
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谈谈GaN功率器件未来5-6年的发展趋势
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氮化镓，再起风云
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热度不减的氮化镓
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GaAs(InP) HBT的优势与劣势
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氮化镓如何在5G时代大展拳脚？
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《涨知识啦19》---HEMT 的电流崩塌效应
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富士通首次展示氮化铝衬底生长氮化镓应用潜力
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简易双晶体管串联式实用线性稳压电源电路
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DARPA最前沿：新兴无线电发射机、战术海底网络架构项目、座舱机组人员工作自动化系统、抗振抗冲击惯性...
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DARPA启动“高稳原子钟”项目
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光电集成的发展及前景
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【前沿动态】DARPA研发不依赖GPS导航的抗振抗冲击惯性微型传感器技术
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