原文:
IEEE荣誉勋章授予3D晶体管之父胡正明,其发明使摩尔定律得以延续数十年
2018年12月15日-中科大学生代表团参加合肥集成电路科技馆开业典礼暨胡正明院士报告会
奔跑在成长路上 阅95
陈根:胡正明,一个拯救摩尔定律的男人
陈述根本 阅75 转3
趋势|FinFET之父预测未来:负电容晶体管和堆叠二维晶体管
大国重器元器件 阅469
世界半导体集成电路发展史(超细、超全)
张問骅 阅1212 转33
致敬展讯SC9860背后的FinFET之父——胡正明教授
雪啸晴 阅213 转9
FinFET教父:说半导体产业还能持续发展100年,我是认真的
悦读院 阅518 转3
芯片破壁者(六.下):摩尔定律的新世纪变局与无限火力
脑极体 阅48 转3
胡正明:技术创新可能让半导体晶体管密度再增加1000倍.胡正明发明了鳍型晶体管(FinFET)以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」(FD-SOI),两大革命性创新为半导体带来新契机
xhz0734 阅126 转2
3nm的晶体管,就是这个了?
云雪颂 阅41
计算机所面临的极限是什么?
残云伴鹤归 阅1026 转13
摩尔定律死亡?权威报告:2021年芯片只能向3D转型
叶老师YP 阅129 转4
浅谈半导体工艺变革
Long_龙1993 阅953 转17
3nm以后的晶体管选择
漫步之心情 阅711 转10
纳米片晶体管是摩尔定律的下一步,也许是最后一步!
mrjiangkai 阅210 转8
国内外碳纳米管技术进展与差距、发展前景与方向
文明世界拼图 阅986 转8
半导体器件中材料、工艺结构、模型之间的关系
闰木L 阅132 转2
3D堆叠CMOS,晶体管的未来!
Rivalry 阅19 转2
最后的硅晶体管,纳米片器件也许是摩尔定律演进的最后一步
道藏三千零一 阅145
国产3nm半导体工艺又刷屏了 先别沸腾了:量产还需多年
我爱你文摘 阅115
IEEE:摩尔定律进入新阶段
wanglh5555 阅145 转6
半导体核心器件“晶体管”的工作原理
天悔大哥cqm 阅38
硅基集成电路会被终结吗?
哥妹情缘88 阅450 转14
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了
leafcho 阅30099 转213
从器件物理层面看MOSFET的内部结构
刘化淳 阅288 转11
什么是模拟IC设计
guitarhua 阅2530 转6
为什么说石墨烯芯片是下一代芯片,2年内量产
skzxaw46857 阅2730 转6
突破硅半导体极限,1纳米工艺的晶体管已经诞生
万语千言525 阅161 转2
晶体管的故事---肖克莱的苦恼
1328512106 阅185
湖南大学研制成功1nm物理沟道长度垂直晶体管,芯片性能或将进入新纪元
zjshzq 阅1827
60岁时他卸任所长,决心研究没人看好的硅基光电子技术
冬不拉拉 阅119
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