原文：三分钟读懂超级结MOSFET
平面型 OR 沟槽型，行业谁具有话语权？碳化硅（SiC）MOSFET的未来发展方向
DT_Carbontech    阅550    转6
中国SiC，“挖坑”了吗？
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FinFET（鳍型MOSFET）简介
adlsong    阅302    转2
最美的星图 ——记陈星弼院士与他的超结发明
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超级结MOSFET
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IGBT：平面型与沟槽型结构特性详解
新用户47863247    阅491
调整PCB布局以使用超级结MOSFETs(3)
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半导体成就电动汽车“芯”
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变频家电低负载功耗再降56%，谁是幕后英雄？
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功率晶体管的历史和新兴设计
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用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展回顾
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IGBT基础：结构及应用特点
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【今日头条】最快trr性能的600V超级结MOSFET 成新标杆
ChinaAET    阅72
增强型N沟道场效应管(MOSFET)的电池反接保护电路
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恒压驱动电路
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浅析IGBT门级驱动
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电子科技大学：什么是功率半导体？
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SiC 器件和封装技术现状
启云_9137    阅246    转2
MOS各个参数详解
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