原文：突破天花板！存储密度一下提高40％！不采用EUV的美光最新1α纳米DRAM是如何做到的？
美光：下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中，暂不需要EUV光刻
新用户59611727    阅25
三星、SK Hynix研发EUV工艺的DRAM芯片，内存成本更低
超能网    阅27
基础材料才是半导体基石-光刻胶篇
kaller_cui    阅484    转10
FinFET之后，集成电路怎么发展？
q1338    阅239    转8
5nm之后，这项光刻技术或将发挥重要作用
James5291    阅70
极紫外线技术有望让晶体管“瘦身”75%
yangmill    阅222    转4
内存全面进入1z nm时代，解读1z工艺到底是什么
梅与牛_亚坤    阅1164    转2
沉默的王者：奥地利在先进半导体制造领域的垄断
carlshen1989    阅15    转2
【名家】莫大康：摩尔定律可能进入终点倒计时
图书馆三千零一    阅13
EUV光刻机最新路线图
雨在路上    阅6
观点|比利时微电子中心（IMEC）：塑造未来半导体技术格局的五大趋势
大国重器元器件    阅1258    转6
台湾发力DRAM，新建12吋晶圆厂
张问骅    阅23
无电容的3DDRAM，潜力无限
zsfruyi    阅34
英特尔-美光3D XPoint全面解析
人人驿站    阅1686    转6
EUV光刻的“致命弱点”
格物在    阅29
半导体 — ASML（1）
昵称39335794    阅18
EUV光刻技术获一等奖翻开获奖名单，极紫外光刻光学技术赫然在列，
冬不拉拉    阅20
EUV光刻技术研发难度为何超过原子弹？有没有可能弯道超车呢
自转    阅32
半导体刻蚀机
adong1233    阅3373    转43
集成电路IC光刻胶浅析：演进
Long_龙1993    阅155    转9
看FinFETs之后的晶体管如何演变
漫步之心情    阅157    转6
比利时独家报道| 后摩尔定律时代，半导体技术将走向何方?
传播文化    阅204    转5
EUV光刻将走向何方？
牛厨馆    阅122    转4
全球冲刺3nm芯片：最烧钱的技术战！100亿美元起
轻淡K心    阅127    转2
英特尔加速制程工艺和封装技术创新
瓜爷耶    阅8
芯片制造，欧洲日本为何执着于2纳米？
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先进封装还是缩放，未来芯片的二选一
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