原文:
突破天花板!存储密度一下提高40%!不采用EUV的美光最新1α纳米DRAM是如何做到的?
美光:下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中,暂不需要EUV光刻
新用户59611727 阅25
三星、SK Hynix研发EUV工艺的DRAM芯片,内存成本更低
超能网 阅27
基础材料才是半导体基石-光刻胶篇
kaller_cui 阅484 转10
FinFET之后,集成电路怎么发展?
q1338 阅239 转8
5nm之后,这项光刻技术或将发挥重要作用
James5291 阅70
极紫外线技术有望让晶体管“瘦身”75%
yangmill 阅222 转4
内存全面进入1z nm时代,解读1z工艺到底是什么
梅与牛_亚坤 阅1164 转2
沉默的王者:奥地利在先进半导体制造领域的垄断
carlshen1989 阅15 转2
【名家】莫大康:摩尔定律可能进入终点倒计时
图书馆三千零一 阅13
EUV光刻机最新路线图
雨在路上 阅6
观点|比利时微电子中心(IMEC):塑造未来半导体技术格局的五大趋势
大国重器元器件 阅1258 转6
台湾发力DRAM,新建12吋晶圆厂
张问骅 阅23
无电容的3DDRAM,潜力无限
zsfruyi 阅34
英特尔-美光3D XPoint全面解析
人人驿站 阅1686 转6
EUV光刻的“致命弱点”
格物在 阅29
半导体 — ASML(1)
昵称39335794 阅18
EUV光刻技术获一等奖翻开获奖名单,极紫外光刻光学技术赫然在列,
冬不拉拉 阅20
EUV光刻技术研发难度为何超过原子弹?有没有可能弯道超车呢
自转 阅32
半导体刻蚀机
adong1233 阅3373 转43
集成电路IC光刻胶浅析:演进
Long_龙1993 阅155 转9
看FinFETs之后的晶体管如何演变
漫步之心情 阅157 转6
比利时独家报道| 后摩尔定律时代,半导体技术将走向何方?
传播文化 阅204 转5
EUV光刻将走向何方?
牛厨馆 阅122 转4
全球冲刺3nm芯片:最烧钱的技术战!100亿美元起
轻淡K心 阅127 转2
英特尔加速制程工艺和封装技术创新
瓜爷耶 阅8
芯片制造,欧洲日本为何执着于2纳米?
一只顶 阅11 转2
先进封装还是缩放,未来芯片的二选一
liuaqbb 阅7 转2
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