原文：永不失忆的计算机芯片
这种新型存储，国内要爆发了？
知芯世界    阅11
MRAM，准备好成为主流了吗？
山蟹居    阅13
北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米STT-MRAM器件
懒人葛优瘫    阅82
STT-MRAM成为存储器的新希望？
奔跑在成长路上    阅182    转2
证实了世界最高性能的自旋电子学界面多铁氧体结构--通往自旋电子学器件电压信息写入技术的新途径--
Wsz6868    阅28
MRAM的时代来了吗？
rookie    阅282    转5
半导体行业未来10年的五大趋势解析
中山春天奏鸣曲    阅1202    转3
三星存内计算登Nature！全球首搭MRAM，铺路下一代AI芯片
liuaqbb    阅21
Everspin开始生产1Gb容量STT-MRAM存储器：容量再次突破、采用28nm工艺制造
超能网    阅107
磁性器件|日本东北大学研制出世界最小（2.3nm）高性能磁隧道结（MTJ），工作温度可达200℃
大国重器元器件    阅355    转3
我国成功研制80纳米万能存储器核心器件
zhuxrgf    阅118
【AET原创】如何拥抱下一代存储器MRAM
ChinaAET    阅96
清华大学研究团队创新磁性翻转机制突破MRAM技术瓶颈
长庆wcqjs    阅1222    转4
MRAM Getting More Attention At Smallest Nodes
我的技术大杂烩    阅3
【专访】美光科技研发高管：DRAM行业变得“成熟了” - 半导体 - 日经技术在线！ - 工程师的技术支援信息网站
myriad    阅139    转3
切换面向5G的MRAM准备
英尚微电子    阅43    转2
嵌入式存储的下一步：STT-MRAM
张问骅    阅14
什么是STT-MRAM？
路人甲Java    阅49
​IEDM 2019 STT-MRAM 新亮点
毕杰lb7q1kq7pr    阅96
重大突破！清华大学团队突破 MRAM 技术瓶颈
天正恒业168    阅375    转3
非易失性MRAM及其单元结构
新进小设计    阅11
TTL、CMOS器件的互连
liukai007    阅2451    转96
MRAM与常用计算机内存的性能比较
行者花雕    阅1
如何设计和生产CPU？这篇文章说得最详细！
cat1208    阅159    转11
基于IR21844的电机驱动控制系统的设计
nut    阅1212    转30
苹果手机主板维修之电路分析篇 逻辑（控制）电路简介 万通原创发表 万通内部教学资料
业精于勤hukxpz    阅4015    转26