原文:
铠侠披露Twin BiCS闪存技术:为更高密度的存储容量铺平道路
3D NAND将会无限堆叠?沉积和蚀刻将是制约发展的两大瓶颈
Long_龙1993 阅273 转6
三星V-NAND技术
人人驿站 阅1522 转3
3D闪存,176层了!
无明7782 阅65
闪存王者的演变:由二维到三维
Rivalry 阅158 转3
写入速度翻番,东芝西数的128层堆叠闪存开放计划泄露!
天正恒业168 阅28
存储芯片路线图
山蟹居 阅16
QLC大势所趋、PLC呼之欲出:英特尔NAND闪存为何这么优秀?
火鸟课堂 阅23
【技巧】3D V-NAND技术SSD容量翻番的绝世必杀
大双福 阅106
2.66T容量起步 3D QLC闪存1000次擦写寿命可还行?
启云_9137 阅133
集成电路立体化发展
芯片失效分析 阅84
解读固态硬盘中闪存颗粒数量变少之谜
flyk0tcfb46p9f 阅187
存储界新宠,速度是闪存的1000倍,还卖白菜价
家勤则兴 阅79 转2
从NAND到SSD,坚信闪存“革命”,英特尔闪存创新加速
阿明观察 阅8
DRAM内存技术的基本原理是什么?
依薷书坊 阅33 转4
自研128层TLC NAND大受好评,长江存储已开始投产128层QLC NAND闪存
AMP实验室 阅475
400层堆叠3D NAND芯片技术出现!
carlshen1989 阅49 转2
蚀刻工艺相对落后 3D NAND层或迈向“串堆叠”时代
刘化淳 阅111 转3
东芝宣布3D QLC闪存:16片堆叠可达1.5TB
猫熊飞飞 阅40
什么是3D NAND闪存,它到底优秀在哪?
科技云报道 阅1482 转3
海力士往中国搬工厂 三星宣布96层堆叠3D闪存
耳根567 阅28
多芯片封装技术及其应用
Aprilcheng 阅995 转15
PLC QLC TLC
看见就非常 阅69
Intel 3D XPoint闪存来了,显微镜看内部技术终于真相大白!
长庆wcqjs 阅513 转3
美韩终于不敢涨价了:国产NAND量产,一步追上国际先进水平
智圆书馆 阅139 转7
2020年存储技术总结与展望
liuaqbb 阅190 转4
闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程
茂林之家 阅107 转2
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